電導率-塞貝克系數掃描探針顯微鏡

系統組成部分

1、三矢量軸定位平臺及其控制器

2、熱量克測量的測溫探針

3、接觸探測系統

4、模擬多路器

5、數字電壓表

6、鎖相放大器
7、攝像探頭

8、帶有控制軟件和 GPIB 總線的計算機

9、樣品架

主要技術參數

  位置單向定位精度： 1 μm
  位置雙向定位精度： 3 μm
  zui大掃描區域：       150 mm × 50 mm
  局部測量精度：       10 μm (與該區域的熱傳導有關)
  信號測量精度：       100 nV

  測量結果重復性：    優于3%
  誤差
  塞貝克系數：          < 3% (半導體)
                               < 5% (金屬)
  電導率：                < 5% (半導體)
                               < 8% (金屬)

 電導率-塞貝克系數掃描探針顯微鏡

應用領域

測量速度：            測量一個點的時間小于4秒

  1、熱電材料，超導材料，燃料電池，導電陶瓷以及半導體材料的均勻度測量

2、測量功能梯度材料的梯度

3、觀察功能梯度材料的梯度效應

4、監測 NTC/PTC 材料的電阻漂移

5、導電固體中的傳導損耗

6、陰極材料的電導率損耗

7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化

8、樣品的質量監控

技術由德國 Panco 公司和德國宇航中心公共研制開發，點擊資料下載按鈕下載說明手冊。

部分用戶名單：  
Beijing University of Technology
Corning Company
Korea Research Institute of Standards and Science
Shanghai Institute of Ceramics, CAS
Germany Air Force Research Lab

Simens Company
Gwangju Institute of Science and Technology
Hamburg University
Munich University