即時檢測
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(強酸環境中)于減薄制程中的厚度變化
●非接觸式、非破壞性光學式膜厚檢測
●采用分光干涉法實現高度檢測再現性
●可進行高速的即時研磨檢測
●可穿越保護膜、觀景窗等中間層的檢測
●可對應長工作距離、且容易安裝于產線或者設備中
●體積小、省空間、設備安裝簡易
●可對應線上檢測的外部信號觸發需求
●采用膜厚檢測的獨自解析演算法。(已取得)
●可自動進行膜厚分布制圖(選配項目)
規格式樣
| SF-3 | |
|---|---|
| 膜厚測量范圍 | 0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
| 膜厚精度 | ±0.1% 以下 |
| 重復精度 | 0.001% 以下 |
| 測量時間 | 10msec 以下 |
| 測量光源 | 半導體光源 |
| 測量口徑 | Φ27μm※2 |
| WD | 3 mm ~ 200 mm |
| 測量時間 | 10msec 以下 |
※1 隨光譜儀種類不同,厚度測量范圍不同
※2 最小Φ6μm
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