感應耦合等離子體刻蝕機
產品性能及特點
◆設備穩定可靠、工藝，主要用于半導體制造工藝中的介質刻蝕、硅刻蝕以及金屬刻蝕工藝,也能用于太陽能電池片RIE工藝。
◆可用于2-8寸工藝尺寸。
◆設備采用半導體刻蝕機的成熟技術，實現了對腔室內等離體密度的均勻控制，滿足多種材料刻蝕工藝的要求。
◆設備采用模塊化設計，整機包括工藝模塊（PM: Process Module）和傳輸模塊（TM: Transfer Module）?；诠に嚹K內進行刻
蝕，工藝時，在基片上方產生等離子體，對基片進行刻蝕。傳輸模塊裝有全自動機械手取放片，或者安全性高互鎖機構，實現基片在
傳輸模塊和工藝模塊之間的傳輸，其傳輸方式可以根據客戶要求選配。
◆具備全自動的軟件操作系統/半自動操作，可以根據客戶選配
◆主要應用范圍：半導體芯片，TFT器件，膜層集成圖像化，太陽能電池，銀納米，石墨烯等新材料制備等



主要技術參數

真空室工位	單腔、多腔（MAX:7）
反應室極限真空度	≤1x10-4Pa
工藝壓強范圍	2～133 Pa
樣片尺寸	2～8英寸
刻蝕速率：	100～3000nm/min
刻蝕均勻性	±3%～±5%
RF電源	13.56MHZ /2MHZ/4MHZ 可選
樣片熱/冷卻方式	Chiller ， 可選He冷背吹
操作方式	全自動方式、半自動方式